Deyim yerindeyse, 'Devre çalışıyorsa ve ben de çalışabiliyorsam sorun yok. Devre çalışmıyorsa, ben çalışırım.' Bugünkü konu bir grup üyesinin donanım hatasını getiriyor. Daha fazla ayrıntıya girmeden, bir göz atalım: Problem tanımı: Ürün batarya örnekleme devre prototipi 40uA ek sızıntı akımı olasılığına sahiptir. Beş prototipten biri bu anormal durumu göstermektedir. Problem PMOS'ta bulunmaktadır ve PMOS'un değiştirilmesi faydalıdır. Devre şeması aşağıdaki gibidir:

ADC_EN yüksek olduğunda, NMOS tüpü Q20 açılır, PMOS tüpü Q19 açılır ve ADC1 VIN'in voltajını toplar (ADC1≈VCC*4.7K/104.7K). ADC_EN düşük olduğunda, hem NMOS hem de PMOS kapatılır ve R66 ve R67 üzerinde sızıntı akımı olmaz (düşük güç tüketimi için gerekli devre).

Şematik diyagrama göre bir sorun yok, ancak gerçek anormallik Q19 kapatıldığında hala 40uA'lık bir kaçak akımın olmasıdır. Sebep analizi: VIN voltajını grup arkadaşlarıyla dikkatlice kontrol ettikten sonra, VIN'e karşılık gelen batarya voltajının 12V'luk bir batarya olduğu bulundu, yani batarya tamamen şarj edildiğinde voltajı daha yüksek (12V'dan fazla) olacaktır. Ve bu şematik diyagram 4.2V lityum batarya toplama devresinden kopyalanmıştır...
NMOS açıldığında, PMOS'un her iki ucundaki VGS voltajı neredeyse VIN'e (12V'den büyük) eşittir ve kullanılan PMOS AO3401'dir ve VGS dayanım voltajı mutlak maksimum ±12V'dir. Ayrıca, yukarıda açıklandığı gibi PMOS'un değiştirilmesiyle sorun çözülecektir, bu nedenle PMOS'un VGS aşırı voltajının PMOS'ta iç hasara neden olduğu şüphesi vardır, bu da ek kaçak akımı üretebilir.